到正文
这是正文。

利用低压超临界相,制造出比以往更高品质的氮化镓结晶——实验证明,在反应炉中,高纯度的氮化镓结晶没有弯度

【新萄京娱乐场】

多元物质科学研究所教授秩父重英
实验室网站

【研究】

  • 低压酸亚模热法*1中,通过使用高品质的种子(种子结晶),结晶性好,高纯度的氮化镓*2确认结晶的成长
  • 提供高质量的氮化镓底板,促进氮化镓器件的研究

【新萄京娱乐场】

近年来,世界上越来越多的人开始关注环境问题,产业界也开始节能。。因此,新萄京娱乐场官网需要提高半导体设备的高性能。。例如,负责控制功率的高频功率晶体管*3在独立的氮化镓(GaN)底板上制作的电子器件(GaN-on-GaN器件)通过降低能耗2的减少。。但是现在市面上的GaN单结晶基板存在质量上的挑战,并不能充分挖掘GaN-on-GaN器件的潜力。。

新萄京娱乐场官网多元物质科学研究所の秩父重英教授らは、株式会社日本製鋼所、三菱ケミカル株式会社との共同研究において、GaN基板の量産法として開発した低圧酸性アモノサーマル(LPAAT)法の実用化に向けた検討を進め、使用するシード基板の品質が成長後の結晶の品質に与える影響を明らかにしました。特别是,如果使用高品质的种子,生长的结晶的结晶性也会变好,室温的光发光感*4光谱中,自由激子*5重新组合的带端发光占主导地位,越高纯度。。

该成果于2022年5月13日在科学杂志Applied Physics Express上在线公开。

本研究の一部は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)のプログラム「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト(JPNP10022)」、「戦略的省エネルギー技術革新プログラム(JPNP12004)」、および文部科学省「人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス」の助成を受けています。

参考图像1采用LPAAT方法在高质量SCAATTM籽料上生长的GaN单晶体的外观、晶体结构特性以及光致发光谱。

【新闻】

*1. 低圧酸性アモノサーマル(Low-pressure acidic ammonothermal; LPAAT)法
将通常温度、压力下不溶解的溶质溶解在高温、高压的超临界流体中,利用炉内温度梯度的溶解度差,使溶质再结晶到晶体上,这是一种索尔波冷却法。。根据使用的溶剂不同,它们被称为水热法或安热法。。作为促进GaN在超临界氨中溶解的矿化剂,烷基酰胺(MNH2, M=Li, Na, K)等碱性矿化剂,或者卤代铵(NH4X, X=Cl, Br, I)等酸性矿化剂。。新萄京娱乐场官网的研究团队开发了一种酸性矿化剂,一种酸性的亚莫热丸。。使用高压超临界流体氨的酸性非晶热法(AAT)已经投入使用,但由于是高压,很难应用于超大型反应堆。。因此,在本研究中,开发了适用于超大型反应堆的低压条件下的酸性非晶热法(LPAAT法)。。

*2. 氮化镓(GaN)
由镓和氮组成的化合物。GaN和氮化铟(InN)和GaN混晶(InGaN)是发光器件的关键材料,例如蓝色发光二极管和蓝色激光器。。近年来,碳化硅、GaN、金刚石等作为半导体性能逐渐达到极限的替代材料备受关注。。其中,GaN是宽禁带宽度(3.4ev),高击穿电场(3.3mv广告-1),快的饱和电子速度(2.5×107 cm s-1)等物性,因此有望应用于高功率、高频率工作的电子设备。。

*3. 高频功率晶体管
实现移动电话基站、雷达、通信卫星等的大容量、高速通信的功率转换放大器。GaN在高功率(kW级)和高频率(1ghz到100ghz)领域的设备应用前景广阔,这是其他材料很难做到的。。

*4. 光致发光
半导体被比禁限带宽度更大能量的光照射时,半导体内被激发的电子空穴对在重新结合的过程中放出光的现象。。光致发光により放出される光のエネルギースペクトルには、半導体内のバンド間の直接または間接遷移や励起子遷移、ドナーやアクセプター準位などに関係する光学遷移の情報が反映されるため、半導体結晶の周期性や不純物に関する情報を間接的に得ることができます。

详情(新闻发布正文)pdf

咨询地址

(有关研究的事情)
新萄京娱乐场官网多元物质科学研究所
秩父重英教授
電話: 022-217-5363
电子邮箱:chichibu*buyphenterminetabs.com(请把*换成@)

(有关报道)
新萄京娱乐场官网多元物质科学研究所宣传情报室
電話:022-217-5198
电子邮件:press.tagen * grp.buyphenterminetabs.com(请把*换成@)

sdgs _ logo

sdgs07 sdgs09 sdgs13

新萄京娱乐场官网支持可持续发展目标。

到这一页的开头